Нанокомпозитний матеріал на основі шаруватих кристалів GaSe та InSe, інтеркальованих сегнетоелектриком RbNO3

Автори З.Р. Кудринський , В.В. Нетяга
Приналежність

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України, Чернівецьке відділення, вул. Ірини Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна

Е-mail kudrynskyi@gmail.com
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 3
Дати Одержано 13.01.2013, опубліковано online - 17.10.2013
Посилання З.Р. Кудринський, В.В. Нетяга, Ж. нано- електрон. фіз. 5 № 3, 03028 (2013)
DOI
PACS Number(s) 81.05.Hd, 64.70.K, 84.60.Ve
Ключові слова Нанокомпозитні матеріали, Шаруваті кристали (11) , Сегнетоелектрик (5) , Інтеркаляція (10) , Cеленід галію, Cеленід індію (2) .
Анотація У даній роботі вперше встановлено, що монокристалічні зразки моноселенідів галію GaSe та індію InSe можуть бути інтеркальовані молекулами сегнетоелектричної солі нітрату рубідію RbNO3. Дослід-жено кінетику процесу інтеркаляції в різних температурно-часових режимах. Методом рентгенострук-турного аналізу досліджено структурні властивості інтеркалатних нанокомпозитів. Досліджувані структури можна представити як композиційні надґратки, які складаються з ґратки анізотропного шаруватого напівпровідника з вбудованими в неї шарами сегнетоелектрика. Встановлено, що нанокомпозитний матеріал GaSe володіє властивостями накопичення електричної енергії. Енергонакопичувальні властивості пов’язуються з поляризацією інтеркальованого сегнетоелектрика під дією зовнішнього електричного поля. На основі нанокомпозитного матеріалу GaSe створено твердотільний накопичувач електричної енергії.

Перелік посилань

English version of article