Вивчення структурних та електронних властивостей кластерів ZnO методом теорії функціонала густини
| Автори | О.В. Бовгира1 , Р.В. Бовгира2 , М.В. Коваленко1 , Д.І. Попович2,3 , А.С. Середницький2 , |
| Приналежність | 1 Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Кирила і Мефодія, 8а, 79005 Львів Україна 2 Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України, вул. Наукова, 3-б, 79060 Львів Україна 3 Національний університет «Львівська політехніка», вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна |
| Е-mail | bovhyra@gmail.com |
| Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 1 |
| Дати | Одержано 27.12.2012, опубліковано online - 28.03.2013 |
| Посилання | О.В. Бовгира, Р.В. Бовгира, М.В. Коваленко, та ін., Ж. Нано- електрон. фіз. 5 № 1, 01027 (2013) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 73.22. – f, 73.20.At, 61.72.Ww |
| Ключові слова | Структура (214) , Електронні властивості (11) , Кластери ZnO (2) , Метод теорії функціонала густини (2) . |
| Анотація | У межах теорії функціоналу густини проведено дослідження структурних та електронних властивостей малих кластерів (ZnO)n (n = 2-12). Для кожного кластеру було проведено оптимізацію структури та визначено основні властивості зонної структури. Встановлено, що із зростанням (n) у малих кластерах (ZnO)n енергетично вигіднішою стає стабілізація від кільцевих до фулереноподібних структур, які містять тетрагональні і гексагональні грані та усі атоми мають координаційне число рівне трьом. Серед кластерів (ZnO)12 із домішками атомів перехідних металів найбільш стабільними є кластери із заміщенням атома Zn атомами Mn, Cu і Co. Ширина забороненої зони у електронному спектрі домішкових кластерів зменшується за рахунок p-d гібридизації орбіталей домішкового атома із орбіталями атома кисню. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Reduced Polarizability and Local-Field Effect in Self-Assembled Ensemble of Nanoparticles [01001-1-01001-5]2) Hydration-Induced Local Molecular Structures in Nano-Layered Clay Particles [01002-1-01002-3]
3) New Way of As2S3 Microtubules Preparation by Roll Up Thin Films Synthesized at the Air-Solution Interface [01003-1-01003-3]
4) Spectroscopically Detected Formation of Oxygen Vacancies in Nano-Crystalline CeO2 – x [01004-1-01004-4]
5) A Comparative Study of the Oxidation and Wet Chemical Methods for Uncapping the Multi-Walled Carbon Nanotubes [01005-1-01005-3]
6) Cotton Textile Surface Investigation Before and After Deposition of the ZnO Coating by Sol-gel Method [01006-1-01006-5]
7) Люмінесцентні властивості активованих Ce3 + тербій-алюмінієвих гранатів, синтезованих з використанням наноструктурованих реагентів [01007-1-01007-4]
8) Використання нанокомпозитних покриттів з різними фізико-хімічними характеристиками в тканинній інженерії [01008-1-01008-5]
9) Structural Properties of ZnO Thin Films Obtained by Chemical Bath Deposition Technique [01009-1-01009-4]
10) Design of Broadband Optical Interference Filters Based on Six-Layer Period [01010-1-01010-3]
11) Comparing the Ranking of Cobalt Coating Microstructures, Produced by Direct Current through Experimental Studies and the Analytic Hierarchy Process [01011-1-01011-5]
12) Вплив електричного поля на електронні властивості заміщених молекул дифенілу [01012-1-01012-4]
13) Molecular Dynamics Simulation of Cross-Linked Epoxy Polymers: the Effect of Force Field on the Estimation of Properties [01013-1-01013-5]
14) Фазовий склад та магніторезистивні властивості плівкових систем на основі Феруму і Ванадію або Нікелю і Ванадію [01014-1-01014-6]
15) Фокусування іонних пучків діелектричними мікро- і нанокапіллярнимі структурами [01015-1-01015-5]
16) Високодозова іонна імплантація в NiTi для поліпшення ефекту пам'яті форми та псевдопластичності [01016-1-01016-8]
17) Performance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials [01017-1-01017-5]
18) Вивчення впорядкованих структур і фазових переходів субкарбіда ванадіюметодом дифракції нейтронів [01018-1-01018-4]
19) Study of Photoluminescence Behaviour of Porous Silicon Samples Prepared at 20 mA Current Density [01019-1-01019-3]
20) Optical Dispersion In Annealed Thin Films of S-doped a-Si:H Alloys [01020-1-01020-2]
21) Electrical Characterization of TiO2 Insulator Based Pd / TiO2 / Si MIS Structure Deposited by Sol-Gel Process [01021-1-01021-5]
22) Effect of Co Doping on Structural and Magnetic Properties of ZnO Nanoparticles Synthesized by Novel Combustion Synthesis [01022-1-01022-3]
23) Наноелектроніка: виникнення струму, нове формулювання закону Ома і моди провідності в концепції «знизу-вгору» [01023-1-01023-15]
24) Нанокомпозити альфа-Fe2O3 / гама-Fe2O3: синтез, кристалічна та магнітна мікроструктури, морфологія [01024-1-01024-8]
25) Перетворення в субмоношарових покриттях хрому та титану на поверхні Sі (001) [01025-1-01025-4]
26) Нелінійні процеси в магнітних наноточках при перпендикулярній накачці: мікромагнітне моделювання [01026-1-01026-4]
27) Кінетики росту згустків Ag, створених лазерним світлом різних довжин хвиль на мікрокристалах AgBr [01028-1-01028-5]
28) Електрофізичні властивості нанокристалічних плівок платини [01029-1-01029-5]
29) Формування прецизійного пучка протонів у зондовій системі з індивідуальними джерелами живлення магнітних квадрупольних лінз (результати експерименту) [01030-1-01030-5]
