Performance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials
| Автори | Rakesh Prasher , Devi Dass , Rakesh Vaid |
| Приналежність | Department of Physics & Electronics, University of Jammu, Jammu-180006 |
| Е-mail | rakeshvaid@ieee.org |
| Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 1 |
| Дати | Одержано 08.12.2012, у відредагованій формі - 26.01.2013, опубліковано online - 28.03.2013 |
| Посилання | Rakesh Prasher, Devi Dass, Rakesh Vaid, J. Nano- Electron. Phys. 5 No 1, 01017 (2013) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 85.30.De, 85.30.Tv |
| Ключові слова | Channel materials, Ballistic nanoscale MOSFET, Gate insulator thickness (2) , Insulator dielectric constant, Gate control parameter, Drain control parameter, Indium antimonide (2) . |
| Анотація | In this paper, we have studied a double gate nanoscale MOSFET for various channel materials using simulation approach. The device metrics considered at the nanometer scale are subthreshold swing (SS), drain induced barrier lowering (DIBL), on and off current, carrier injection velocity (vinj), etc. The channel materials studied are Silicon (Si), Germanium (Ge), Gallium Arsenide (GaAs), Zinc Oxide (ZnO), Zinc Sulfide (ZnS), Indium Arsenide (InAs), Indium Phosphide (InP) and Indium Antimonide (InSb). The results suggest that InSb and InAs materials have highest Ion and lowest Ioff values when used in the channel of the proposed MOSFET. Besides, InSb has the highest values for Ion / Ioff ratio, vinj, transconductance (gm) and improved short channel effects (SS = 59.71 and DIBL = 1.14, both are very close to ideal values). More results such as effect of quantum capacitance verses gate voltage (Vgs), drain current (Ids) vs. gate voltage and drain voltage (Vds), ratio of transconductance (gm) and drain current (Id) vs. gate voltage, average velocity vs. gate voltage and injection velocity (Vinj) for the mentioned channel materials have been investigated. Various results obtained indicate that InSb and InAs as channel material appear to be suitable for high performance logic and even low operating power requirements for future nanoscale devices as suggested by latest ITRS reports. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Reduced Polarizability and Local-Field Effect in Self-Assembled Ensemble of Nanoparticles [01001-1-01001-5]2) Hydration-Induced Local Molecular Structures in Nano-Layered Clay Particles [01002-1-01002-3]
3) New Way of As2S3 Microtubules Preparation by Roll Up Thin Films Synthesized at the Air-Solution Interface [01003-1-01003-3]
4) Spectroscopically Detected Formation of Oxygen Vacancies in Nano-Crystalline CeO2 – x [01004-1-01004-4]
5) A Comparative Study of the Oxidation and Wet Chemical Methods for Uncapping the Multi-Walled Carbon Nanotubes [01005-1-01005-3]
6) Cotton Textile Surface Investigation Before and After Deposition of the ZnO Coating by Sol-gel Method [01006-1-01006-5]
7) Люмінесцентні властивості активованих Ce3 + тербій-алюмінієвих гранатів, синтезованих з використанням наноструктурованих реагентів [01007-1-01007-4]
8) Використання нанокомпозитних покриттів з різними фізико-хімічними характеристиками в тканинній інженерії [01008-1-01008-5]
9) Structural Properties of ZnO Thin Films Obtained by Chemical Bath Deposition Technique [01009-1-01009-4]
10) Design of Broadband Optical Interference Filters Based on Six-Layer Period [01010-1-01010-3]
11) Comparing the Ranking of Cobalt Coating Microstructures, Produced by Direct Current through Experimental Studies and the Analytic Hierarchy Process [01011-1-01011-5]
12) Вплив електричного поля на електронні властивості заміщених молекул дифенілу [01012-1-01012-4]
13) Molecular Dynamics Simulation of Cross-Linked Epoxy Polymers: the Effect of Force Field on the Estimation of Properties [01013-1-01013-5]
14) Фазовий склад та магніторезистивні властивості плівкових систем на основі Феруму і Ванадію або Нікелю і Ванадію [01014-1-01014-6]
15) Фокусування іонних пучків діелектричними мікро- і нанокапіллярнимі структурами [01015-1-01015-5]
16) Високодозова іонна імплантація в NiTi для поліпшення ефекту пам'яті форми та псевдопластичності [01016-1-01016-8]
17) Вивчення впорядкованих структур і фазових переходів субкарбіда ванадіюметодом дифракції нейтронів [01018-1-01018-4]
18) Study of Photoluminescence Behaviour of Porous Silicon Samples Prepared at 20 mA Current Density [01019-1-01019-3]
19) Optical Dispersion In Annealed Thin Films of S-doped a-Si:H Alloys [01020-1-01020-2]
20) Electrical Characterization of TiO2 Insulator Based Pd / TiO2 / Si MIS Structure Deposited by Sol-Gel Process [01021-1-01021-5]
21) Effect of Co Doping on Structural and Magnetic Properties of ZnO Nanoparticles Synthesized by Novel Combustion Synthesis [01022-1-01022-3]
22) Наноелектроніка: виникнення струму, нове формулювання закону Ома і моди провідності в концепції «знизу-вгору» [01023-1-01023-15]
23) Нанокомпозити альфа-Fe2O3 / гама-Fe2O3: синтез, кристалічна та магнітна мікроструктури, морфологія [01024-1-01024-8]
24) Перетворення в субмоношарових покриттях хрому та титану на поверхні Sі (001) [01025-1-01025-4]
25) Нелінійні процеси в магнітних наноточках при перпендикулярній накачці: мікромагнітне моделювання [01026-1-01026-4]
26) Вивчення структурних та електронних властивостей кластерів ZnO методом теорії функціонала густини [01027-1-01027-6]
27) Кінетики росту згустків Ag, створених лазерним світлом різних довжин хвиль на мікрокристалах AgBr [01028-1-01028-5]
28) Електрофізичні властивості нанокристалічних плівок платини [01029-1-01029-5]
29) Формування прецизійного пучка протонів у зондовій системі з індивідуальними джерелами живлення магнітних квадрупольних лінз (результати експерименту) [01030-1-01030-5]
