Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку

Автори Д.І. Курбатов
Приналежність

Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна

Е-mail kurd@ukr.net
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 3
Дати Одержано 30.08.2012; опубліковано online 07.11.2012
Посилання Д.І. Курбатов, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03027 (2012)
DOI
PACS Number(s) 61.72.J, 73.61.Ga
Ключові слова Точкові дефекти (7) , Сульфід цинку (8) , Квазіхімічний формалізм, Монокристали (8) , Плівки (124) , Концентрація дефектів.
Анотація В роботі з використанням традиційного квазіхімічного підходу проведено розрахунок концентрації нейтральних і заряджених точкових дефектів, положення рівня Фермі та вільних носіїв струму у монокристалах та плівках сульфіду цинку у залежності від умов їх осадження. Для розрахунків використані експериментально знайдені енергії залягання дефектів в забороненій зоні ZnS.

Перелік посилань