Закономірності зародкового механізму конденсації аморфних плівок халькогенідних напівпровідників

Автори А.В. Далекорей1, В.П. Іваницький1, В.С. Ковтуненко2 , Р.О. Мешко1
Приналежність

1 Ужгородський національний університет, вул. Підгірна, 46, 88000, Ужгород, Україна

2 ДВНЗ «Черкаський державний технологічний університет», бул. Шевченко, 460, 18006, Черкаси, Україна

Е-mail toljadal@yandex.ru, ivanc@mail.uzhgorod.ua
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 3
Дати Одержано 15.02.2012; опубліковано online 30.10.2012
Посилання А.В. Далекорей, В.П. Іваницький, В.С. Ковтуненко, Р.О. Мешко, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03011 (2012)
DOI
PACS Number(s) 64.60.qj, 68.03.Fg
Ключові слова Механізми конденсації, Аморфні плівки, Острівкові плівки, Мас-спектри.
Анотація
Теоретично та експериментально досліджено початкові етапи зародкового механізму конденсації аморфних плівок складних халькогенідів. Встановлено важливу роль складного мас-спектрометричного складу парової фази у процесах зародкоутворення та росту аморфних острівків халькогенідів на однорідній поверхні підкладки.

Перелік посилань

English version of article