Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі
| Автори | А.О. Коваль1,2 |
| Приналежність |
1Національний університет "Запорізька політехніка", вул. Жуковського, 64, 60063 Запоріжжя, Україна 2Науково-виробничий комплекс "Іскра", вул. Магістральна, 84, 69071 Запоріжжя, Україна |
| Е-mail | andrej.koval@ukr.net |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 21 грудня 2021; у відредагованій формі 17 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | А.О. Коваль, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02013 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02013 |
| PACS Number(s) | 61.46.Bc, 73.22. – f |
| Ключові слова | Енергія Фермі (8) , Металева наночастинка (2) , Оптична провідність (3) , Розмірне квантування (2) . |
| Анотація |
У роботі досліджено взаємодію електромагнітних хвиль зі сферичною металевою наночастинкою. В рамках моделі сферично-симетричної потенційної ями кінцевої глибини розраховано розмірну залежність енергії Фермі електронів провідності. Показано, що врахування моделі сферичної потенційної ями кінцевої глибини призводить до зменшення значення енергії Фермі при зберіганні загального характеру розмірних залежностей. У наближенні діагонального відгуку отримано вирази та розраховано діагональні компоненти тензора оптичної провідності сферичної металевої наночастинки радіусом r0. Досліджено вплив варіації величини ефективного радіусу і матеріалу сферичної наночастинки на частотні залежності дійсної та уявної частин оптичної провідності. Шляхом порівняння результатів розрахунків діагональної компоненти тензора оптичної провідності сферичної наночастинки та циліндричного нанодроту для Cu встановлено вплив розмірності систем. Результати розрахунків демонструють сильну розмірну і частотну залежність дійсної та уявної частин оптичної провідності. Обчислення проведені для сферичних наночастинок Ag, Cu і Al. Відмінності в результатах для сферичних наночастинок Ag, Cu і Al пояснюються різними значеннями часу релаксації електронів провідності. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
