Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe
| Автори | T.A.H. Mir1, D.S. Patil2, B.K. Sonawane3 |
| Приналежність |
1 Smt. G.G. Khadse College, Muktainagar, Jalgaon 425306 M.S, India 2 Department of Electronics, School of Physical Sciences, Kavayitri Bahinabai Chaudhari North Maharashtra University, Jalgaon, 425001 M.S, India 3J .D.M.V.P. Co-Op. Samaj’s Arts, Commerce and Science College, Jalgaon, 425001 M.S, India |
| Е-mail | b_ksonawane@rediffmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 12 лютого 2022; у відредагованій формі 26 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | T.A.H. Mir, D.S. Patil, B.K. Sonawane, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02014 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02014 |
| PACS Number(s) | 73.61 Ga, 61.05.cp |
| Ключові слова | Хімічне осадження у ванні, Включення сірки, Оптичний аналіз, Питомий електричний опір. |
| Анотація |
Метою представленого дослідження є вивчення впливу включення сірки на оптичні, морфологічні, структурні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок селеніду цинку. Структурний аналіз показує зсув піку на 0.47°, оскільки рівень включення сірки підвищився з x = 0 (0 %) до x = 0.3 (15 %). Дослідження EDAX виявляє, що плівки чистого селеніду цинку багаті селеном. Зі збільшенням рівня включення сірки відбувається безперервне зниження вмісту селену. На мікрофотографіях SEM спостерігається значне зменшення коливань діапазону розмірів зерен із збільшенням рівня включення сірки. Виявлено, що коефіцієнт пропускання вищий у зразках із включеннями сірки. Встановлено, що енергія забороненої зони збільшується з 2,63 до 3,17 еВ із збільшенням рівня включення сірки. Збільшення концентрації сірки викликає підвищення питомого опору від 106 до 107 Ом×см. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
