Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження
| Автори | S.G. Pawar1, C.V. Chanmal1, S.S. Bandgar1, R.N. Mulik1, P.A. Desai2 , A.A. Admuthe2, I.A. Dhole3 |
| Приналежність |
1Department of Physics, D.B.F. Dayanand College of Arts and Science, 413002 Solapur, (M.S.), India 2Department of Physics, Smt. Kasturbai Walchand College, 416416 Sangli, (M.S.), India 3Department of Physics, Sadguru Gadage Maharaj College, 415124 Karad, (M.S.), India |
| Е-mail | iadhole@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 16 грудня 2021; у відредагованій формі 19 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | S.G. Pawar, C.V. Chanmal, S.S. Bandgar, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02002 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02002 |
| PACS Number(s) | 81.15.Pq, 82.47.Uv |
| Ключові слова | Mn2O3 (3) , Циклічна вольтамперометрія (3) , Суперконденсатор (12) , Електроосадження (7) . |
| Анотація |
Електрод типу нанолусок з Mn2O3 для застосування в суперконденсаторах був успішно електро-осаджений на колектор струму з нержавіючої сталі (SS) потенціостатичним способом без використання будь-якого сполучного або закупорювального засобу. Структурні, морфологічні та композиційні властивості підготовлених електродів Mn2O3 були охарактеризовані за допомогою методів дифракції рентгенівських променів (XRD), польової емісійної скануючої електронної мікроскопії (FESEM) та інфрачервоної спектроскопії з перетворенням Фур'є (FTIR) відповідно. Дослідження XRD виявило наночастинки Mn2O3, які мають кристалічну об'ємно-центровану кубічну структуру (BCC), підтверджену за допомогою JCPDS no. 89-2809. Зображення FESEM демонструють морфологію нанолусок, а також пластинчасту та пористу морфологію, придатну для електрохімічних застосувань. Утворення Mn2O3 було підтверджено за допомогою FTIR спектрів. Електрохімічні характеристики електрода Mn2O3 досліджували за допомогою циклічної вольтамперометрії (CV), гальваностатичного заряду/розряду (GCD) та електрохімічної імпедансної спектроскопії (EIS) в електролітах Na2SO4, NaOH та KCl. Виявлено, що електроліт 1 M Na2SO4 добре підходить для електроду типу нанолусок з Mn2O3 для застосування в суперконденсаторах з питомою ємністю (Csp) 508 Фгм – 1 при швидкості сканування 5 мВс – 1. Кращі значення Csp можуть бути пов'язані з великими активними центрами та швидким іонним транспортом через поверхню електрода Mn2O3. Аналіз електрохімічної стабільності електрода Mn2O3 показує збереження ємності 83 % після 1000 циклів в електроліті 1 M Na2SO4 при швидкості сканування 100 мВс – 1. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
3) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
4) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
5) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
6) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
7) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
8) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
9) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
10) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
11) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
