Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating
| Автори | Abdelaziz Abboudi1, 21, Brahim Chermime1, 2 , Hamid Djebaili2, 3 , Mourad Brioua1 |
| Приналежність | 1 Department of mechanic, University Hadj Lakhdar, Batna 05000, Algeria 2 Laboratoire des Sciences, Universite Abbes Laghrour, 40000 Khenchela, Algeria 3 Department of mechanic, University Abbas Laghrour, 40000 Khenchela, Algeria |
| Е-mail | abboudiabdalaziz@yahoo.fr |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 23.12.2016, у відредагованій формі - 07.01.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | Abdelaziz Abboudi, Brahim Chermime, Hamid Djebaili, Mourad Brioua, J. Nano- Electron. Phys. 9 No 1, 01014 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01014 |
| PACS Number(s) | 1.72. – y, 62.20.D – |
| Ключові слова | Microstructure (21) , The thickness, PVD coatings, Morphology (8) . |
| Анотація | The aim of this paper is evaluation of properties of samples with The ternary nitride (Mo,Zr)N thin films were grown on silicon and steel XC100 substrates by the reactive RF magnetron sputtering technique. The substrates were exposed to ion bombardmen coating, which was deposited on two types of substrates. Silicon was made by melt technology, this method belongs to PVD (Physical Vapour deposition) process. Thin PVD coatings deposited onto surface of tools and machine parts are widely used in a range of sectors, for example in machine engineering. These materials, wear resistance and thermal and chemical stability of the surface. Structure, chemical composition a properties of thin layers depend on technological parameters of the PVD process and preparation of steel substrate. High requirements on the quality of thin PVD coatings resulted in development of methods used to evaluate of their properties. The theckness is one of the important characteristics of mechanical properties of the coated parts. The surface morphology, microstructure, and composition were studied by atomic force microscopy (AFM) nanoindentation, scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffractometer. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
15) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
16) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
17) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
18) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
19) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
20) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
21) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
22) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
23) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
