Investigation of Temperature Sensors Based on Si

Автори S.S. Nasriddinov
Приналежність

Tashkent State Technical University, 2, University Str., 1000095 Tashkent, Uzbekistan

Е-mail said_jamolxon@mail.ru
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 3
Дати Одержано 01.05.2015; у відредагованій формі – 20.05.2015; опубліковано online 20.10.2015
Посилання S.S. Nasriddinov, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 3, 03037 (2015)
DOI
PACS Number(s) 81.07.Bc, 65.80.G
Ключові слова Thermal sensitivity, Speed (4) , Nanostructure (19) , Nanoclusters (4) , Microprobe analysis.
Анотація The paper presents the investigation results of the characteristics of a new type of temperature sensor based on silicon nanoclusters of nickel atoms in extreme conditions. It is shown that such sensors have high sensitivity and speed; they can successfully operate at elevated radiation and vibration.

Перелік посилань