Рухливість електронів в сульфіді кадмію

Автори О.П. Малик1, В.М. Родич2, Г.А. Ільчук2
Приналежність

1 Національний університет «Львівська політехніка», кафедра напівпровідникової електроніки, пл. Св. Юра, 1, 79013 Львів, Україна

2 Національний університет «Львівська політехніка», кафедра фізики, вул. Ст. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

Е-mail omalyk@ukr.net
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 3
Дати Одержано 09.06.2015; опубліковано online 20.10.2015
Посилання О.П. Малик, В.М. Родич, Г.А. Ільчук, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03019 (2015)
DOI
PACS Number(s) 72.20.Dp
Ключові слова Явища переносу (2) , Розсіяння носіїв заряду, Сульфід кадмію (10) .
Анотація Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, центрами статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в кристалах CdS з концентрацією домішок ≈ 5.6 × 1016÷8.7 × 1017 см – 3. Розраховано температурну залежність рухливості та Холл-фактора електронів в інтервалі 10÷400 K.

Перелік посилань