Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо
| Автори | Vijayluxmi Meena1, Prem Pal Singh2, Sudhir Kumar Sharma1, Ravi Gupta3 |
| Приналежність |
1Jaipur National University/Jaipur-Agra Bypass, Near New RTO Office, Jagatpura, Jaipur, 302017 Rajasthan, India 2Modern Institute of Technology and Research Centre, Alwar, 301028 Rajasthan, India 3Government Engineering College Jaipur, Jaipur, Rajasthan, 302017 Jaipur, India |
| Е-mail | vijayluxmimeena@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 09 січня 2024; у відредагованій формі 22 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | Vijayluxmi Meena, Prem Pal Singh, Sudhir Kumar Sharma, Ravi Gupta, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02006 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02006 |
| PACS Number(s) | 84.40.Ba |
| Ключові слова | Реконфігурована антена, PIN-діод, Когнітивне радіо, Регульована антена, Багатодіапазонна антена. |
| Анотація |
У статті представлено нову та компактну патч-антену з регульованою частотою для додатків когнітивного радіо (4-8 ГГц), що працює на семи різних частотах. Основними характеристиками антени є великий діапазон перебудови і достатній коефіцієнт посилення. Випромінювальна ділянка антени являє собою круглу структуру, а площина заземлення модифікована іншою щілинною структурою з метою реконфігурації. Конденсатори використовуються для ізоляції клем зміщення батареї від радіочастотного живлення. Випромінювальна ділянка розділена на чотири частини прорізами необхідним чином, а PIN-діоди розміщені у відповідному положенні для зміни конфігурації антени. Дані радіочастотні перемикачі змінюють довжину слотів, а також змінюють резонансні частоти. Антеною генеруються частоти 4,62 (4,55-4,68) і 6,68 (6,60-6,84) ГГц, 5,33 (5,19-5,47), 5,59 (5,44-5,74), 5,81 (5,70-5,92), 6,12 (5,99-6,26) і 6,96 (6,85-7,15) ГГц. Загальний розмір підкладки антени становить (23×24) мм2 при товщині 1,6 мм. Для моделювання та виготовлення використовувася матеріал підкладки FR-4 з діелектричною проникністю 4,4 і тангенсом втрат 0,002. Параметри антени і результати моделювання та вимірювання показали високу узгодженість. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
7) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
8) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
9) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
10) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
11) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
12) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
13) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
14) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
15) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
16) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
17) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
18) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
19) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
