Особливості непружних та пружних характеристик Si та SiO2/Si структур

Вимірювання температурних залежностей внутрішнього тертя (ВТ) проводилося на ідентичних, що пройшли один i той же технологічний маршрут, підкладках Si р-типу, орієнтації (100), легованого бором B, з питомим електроопором ρ ≈ 7,5 Омxсм, товщиною h ≈ 4.7x10⁵ нм після нанесення на них шару SiO₂ товщиною h ≈ 600 нм в результаті високотемпературного окислення в сухому O₂ при T₀ ≈ 1300 K. В процесі вимірювань було встановлено, що відпал структурних дефектів Si змінює форму температурного спектру ВТ. Піки ВТ Q ^{– 1}_М, що утворюються точковими дефектами, можна було спостерігати при умові, коли підкладка Si нагрівалася зі швидкістю V = ΔT/Δt ≤ 0.1 К/с. Після рентгенівського опромінення дозою γ ≈ 10⁴ Р максимум ВТ при Т_М1 ≈ 320 К різко зростає; його висота Q ^{– 1}_М1 збільшується майже у 3 рази при зменшенні вдвічі ширини ΔQ ^{– 1}_М1, що свідчить про проходження процесу релаксації одного типу радіаційних дефектів. Для піка ВТ в підкладці Si при Т_М1 ≈ 320 К було отримано значення енергії активації H₁ ≈ 0,63 eВ. Близькість отриманого нами значення енергії активації H₁ при Т_М1 ≈ 320 К до енергії міграції для додатно заряджених мiжвузлових атомів Sii+ H0 ≈ 0,85 eВ дозволяє припустити релаксаційний механізм, що обумовлений переорієнтацією міжвузлових атомів Sii. При електронному опроміненні в результаті зіткнення електронів з атомами Si відбувається утворення дефектів по Френкелю. Оцінки показують, що енергія електронів W ≈ 1 MeВ, яка відповідає експерименту, достатня для зміщення атомів Si із своїх рівноважних положень. Після опромінення дозою γ ≈ 10⁵ Р висота максимуму Q ^{– 1}_М1 при Т_М1 ≈ 320 К в порівнянні зі спектром ВТ до опромінення істотно не змінилася, що свідчить про особливий вплив дози γ ≈ 10⁵ Р.