Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів
| Автори | І.П. Бурик1 , М.М. Іващенко1 , А.О. Головня2 , Л.В. Однодворець2 |
| Приналежність |
1Конотопський інститут Сумського державного університету, пр. Миру, 24, 41615 Конотоп, Україна 2Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 6 |
| Дати | Одержано 15 липня 2020; у відредагованій формі 21 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020 |
| Посилання | І.П. Бурик, М.М. Іващенко, А.О. Головня, Л.В. Однодворець, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 6, 06012 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06012 |
| PACS Number(s) | 85.30.De, 85.30.Tv, 73.40.Qv |
| Ключові слова | SOI GAA SiNWFETs, Нанодроти (7) , Короткоканальні ефекти (5) , Температурні ефекти. |
| Анотація |
Перспективним напрямом подальшого зростання рівня масштабування MOSFET транзисторів вважається застосування нанодротів Si, GaAs і ZnO та вуглецевих нанотрубок як каналів між витоком та стоком. У даній роботі представлені результати числового проектування 3D-транзисторів з п'ятьма n-каналами Sі (SiNWFET), виготовленими за технологією SOI (Silicon-on-Insulator) із затвором Gate-all-around (GAA). Структури 5-канальних GAA SiNWFET транзисторів моделюються за допомогою інструментів Silvaco TCAD. Проведено моделювання електричних характеристик, отримано допустимі значення порогової напруги, допорогового розкиду, зниження бар'єру, спричинене стоком, DIBL, сили струму витоку Ioff та коефіцієнта Ion/Ioff. Досліджено вплив температури на статичні передавальні характеристики польового транзистора, отримано типовий для MOSFET транзисторів характер залежностей: перетинання робочих характеристик для різних температур при постійній стоковій напрузі, що обумовлено зменшенням величини сили струму "switch-on" та порогової напруги внаслідок відповідного зменшення рухливості носіїв заряду та перерозподілу носіїв по енергіям, зміщенням енергії Фермі до середини забороненої зони та утворенням області збіднення біля поверхні напівпровідника при менших напруженостях електричного поля. При фіксованій напрузі на стоці 1.2 В зростання температури в інтервалі від 280 до 400 К призводить до зменшення порогової напруги Vt на 22,5 %, збільшення допорогового розкиду на 43.1 %, спадання сили струму "switch-on" на 10.7 % та зниження бар'єру, спричинене стоком, DIBL на 12.6 %. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Аналіз самонагрівання SiGe HBT, призначеного для ВЧ-застосувань, за процентним вмістом германію [06001-1-06001-5]2) Вплив обмеження електрона в подвійній квантовій ямі на екситонні властивості квантового кільця GaSb [06002-1-06002-5]
3) Можливості керування динамічними властивостями циліндричного п'єзокерамічного акустоелектронного пристрою з двочастотним резонансним збудженням [06003-1-06003-6]
4) Порівняння продуктивності недорогих сонячних елементів TiO2 та ZnO, сенсибілізованих за допомогою кумарину C343 [06004-1-06004-6]
5) Вплив температури вакуумного відпалу на бінарну систему Ni/Si(100) [06005-1-06005-5]
6) Моделювання та аналіз продуктивності транзисторів GAA SNSTFT із затвором з потрійним матеріалом [06006-1-06006-4]
7) Покращена продуктивність інтегрованого піроелектричного інфрачервоного детектора на гнучкій підкладці: моделювання та симуляція [06007-1-06007-4]
8) Теоретичне прогнозування деяких фізичних властивостей трикомпонентних сплавів BxAl1 – xSb [06008-1-06008-5]
9) Вплив заміщення Mn2+ на оптичні властивості нових наночастинок CaLi2O2, синтезованих методом золь-гелю [06009-1-06009-5]
10) Нова широкосмугова частково відбиваюча поверхня для покращення коефіцієнта посилення антени [06010-1-06010-4]
11) Обробка воднем плазмонного резонансного датчика [06011-1-06011-6]
12) Теоретичне вивчення електронних властивостей нікелевих кластерів [06013-1-06013-5]
13) A New Approach for One-step Synthesis of Perovskite:fullerene Bulk Heterojunction Using Surfactant Free Microemulsion in Slot Die Method [06014-1-06014-7]
14) Вдосконалення фізичної моделі сонячних елементів на основі GaAs [06015-1-06015-6]
15) Метастабільні стани і фізичні властивості збагачених бором W-B плівок [06016-1-06016-5]
16) Три-стадійна кінетична модель для самозагасаючих дефектів в крихких твердих тілах [06017-1-06017-6]
17) Конвергентний підхід до ідентифікації перехідних станів динамічної системи [06018-1-06018-4]
18) Врахування поправок при дослідженні властивостей речовин рентгенівським методом [06019-1-06019-5]
19) Електротермомеханічне тертя мокрих деталей автомобільних дисково-колодкових гальм [06020-1-06020-8]
20) Оперативний розрахунок напруги проколу бази дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи [06021-1-06021-4]
21) Визначення рефрактивних параметрів в кристалі Tl3TaS4 [06022-1-06022-4]
22) Структура та транспортні властивості одностінних вуглецевих нанотрубок, модифікованих кобальт-вмісними комплексами [06023-1-06023-7]
23) Структура, морфологія та електропровідні властивості Sn-легованого ТіО2 [06024-1-06024-7]
24) Вплив гомогенізації на проявлення надпластичності і мікронадпластичності алюмінієвого сплаву системи Al-Zn-Mg-Cu [06025-1-06025-8]
25) Метод хвильових матриць для моделювання хвилеводних поляризаторів із діафрагмами. Теорія [06026-1-06026-5]
26) Еволюція нанокристалічної структури кобальту при відпалі [06027-1-06027-6]
27) Динаміка зважених наночастинок у змінному в часіградієнтному магнітному полі: Аналітичні результати [06028-1-06028-5]
28) Аналітичне та чисельне вивчення енергетичного спектру надрешітки, що складається із смуг одношарового та двошарового графена [06029-1-06029-5]
29) Взаємодія електронів з акустичними фононами у AlAs/GaAlAs резонансно-тунельних наноструктурах [06030-1-06030-8]
30) Моделювання поведінки тріснутої головки плечового протеза [06031-1-06031-4]
31) Оптичні властивості Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz [06032-1-06032-5]
32) Характеристики та електричні параметри сонячних наноелементів з кремнієвих нанодротів [06033-1-06033-4]
33) Оптимізація складу та процесу отримання гарячепресованої кераміки з підвищеними характеристиками на основі карбіду бору [06034-1-06034-5]
34) Оптимізація регульованого фільтра на фотонних кристалах для грубого мультиплексування з поділом по довжині хвилі [06035-1-06035-4]
35) Теоретичне дослідження вдосконалення продуктивності сонячних елементів на основі CIGS [06036-1-06036-4]
36) Генерація терагерцових коливань діодами з резонансно-тунельними границями [06037-1-06037-4]
37) Новий розчин для електрохімічної модифікації поверхні титану [06038-1-06038-8]
38) Дослідження морфології нанопористої структури і елементного складу гранул органо-мінеральних добрив [06039-1-06039-5]
