Back

Results (15):

Назва Effect of Grain Size on the Threshold Voltage for Double-Gate Polycrystaline Silicon MOSFET
Автори Mahesh Chandra, Alka Panwar, B.P. Tyag
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0474 - 0478
Назва Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison
Автори Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0569 - 0575
Назва Two-Dimensional Analytical Modeling of Threshold Voltage of Doped Short-Channel Triple-Material Double-Gate (Tm-Dg) MOSFET's
Автори Sarvesh Dubey, Dheeraj Gupta, Pramod Kumar Tiwari, S. Jit
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0576 - 0583
Назва A 2-D Analytical Threshold Voltage Model for Symmetric Double Gate MOSFET's Using Green’s Function
Автори Anoop Garg, S.N. Sinha, R.P. Agarwal
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0894 - 0902
Назва A Doping Dependent Threshold Voltage Model of Uniformly Doped Short-Channel Symmetric Double-Gate (DG) MOSFET’s
Автори P.K. Tiwari, S. Dubey, S. Jit
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0963 - 0971
Назва Impact of Scaling Gate Insulator Thickness on the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs)
Автори Devi Dass, Rakesh Prasher, Rakesh Vaid
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 2
Сторінки 02014-1 - 02014-6
Назва Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT
Автори Palash Das, Dhrubes Biswas
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 1
Сторінки 01006-1 - 01006-3
Назва Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation
Автори Prashant Mani, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 2
Сторінки 02002-1 - 02002-5
Назва Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials
Автори Tawseef A. Bhat, M. Mustafa, M.R. Beigh
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 3
Сторінки 03010-1 - 03010-5
Назва Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad
Автори Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 1
Сторінки 01041-1 - 01041-4
Назва An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors
Автори N. Bora, P. Das, R. Subadar
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Сторінки 02003-1 - 02003-4
Назва Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET
Автори Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 1
Сторінки 01022-1 - 01022-4
Назва Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor
Автори Manjula Vijh, R.S. Gupta, Sujata Pandey
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 1
Сторінки 01030-1 - 01030-4
Назва Numerical Simulation and Mathematical Modeling of 3D DG SOI MOSFET with the Influence of Biasing with Back Gate
Автори Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Сторінки 05002-1 - 05002-4
Назва Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs
Автори Nitin Sachdeva, Munish Vashishath, P.K. Bansal
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 6
Сторінки 06009-1 - 06009-4