Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів
| Автори | A. Baghdad Bey1, 2 , A. Talbi2, M. Berka1, 3 , M.A. Benamara2, F. Ducroquet4, A.H. Khediri2, Z. Benamara2 |
| Приналежність |
1Department of Electrotechnical, University Mustapha STAMBOULI of Mascara, 29000 Mascara, Algeria 2Laboratory AMEL, University of S.B.A, 22000 Sidi Bel Abbés, Algeria 3Laboratory E.P.O, University of S.B.A, 22000 Sidi Bel Abbés, Algeria 4University of Grenoble Alpes, Grenoble INP, IMEP-LaHC, 38000 Grenoble, France |
| Е-mail | baghdadbey68a@yahoo.fr |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 03 лютого 2020; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Посилання | M.A. Benamara, F. Ducroquet, A.H. Khediri, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03027 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03027 |
| PACS Number(s) | 85.30.Kk |
| Ключові слова | Провідність (84) , Коефіцієнт ідеальності (7) , Потенційний бар'єр (2) , Послідовний опір (4) , Діод Шотткі (5) . |
| Анотація |
Оптимізація електричних характеристик електронних компонентів є основною метою більшості сучасних досліджень у цій галузі. У роботі проведено експериментальне дослідження діода Шотткі. Дослідження базується на застосуванні нового підходу вимірювання, який використовує контактний метод Шотткі при металізації золота. Досліджувана структура складається з підкладки InP обраного перерізу (1 см × 1 см), товщиною порядка 350 мкм, вирізаною в кристалографічній площині (100). На цій підкладці вигравіруваний тонкий шар InN (2 нм). Ми використовували золото для двох різних значень діаметрів, розміщених один біля іншого довільним чином; великий ( = 1,366038 мм) і малий ( = 0,815575 мм). Наша методика вимірювання дозволила отримати такі електричні характеристики діода Шотткі як I-V, C-V і G-V. Вимірювання дозволили обчислити коефіцієнт ідеальності ( 1,79, 2,58), струм насичення, потенційний бар'єр ( = 0,66 еВ, еВ) і послідовний опір ( Ω, Ω) для двох різних діаметрів. Результати вимірювань, отримані на нашому діоді InN/InP Au/n типу, показують оптимізовані електричні характеристики досліджуваного діода Шотткі. Ми порівняли отримані результати для кожного контакту з результатами інших нещодавніх робіт у тієї ж галузі досліджень. Порівняння показало гарне узгодження з точки зору числових значень, а також ефективності запропонованого нами методу вимірювання. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
11) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
12) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
13) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
14) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
15) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
16) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
17) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
18) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
19) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
20) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
21) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
22) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
23) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
24) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
25) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
26) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
27) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
28) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
29) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
30) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
31) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
32) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
33) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
34) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
35) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]
