Електричні транспортні властивості рідких сплавів Li1–xNax
| Автори | R.C. Malan1, A.M. Vora2 |
| Приналежність |
1Applied Science and Humanities Department, Government Engineering College, (G. T. U.), Valsad-396001, Gujarat, India 2Department of Physics, University School of Sciences, Gujarat University, Ahmedabad-380009, Gujarat, India |
| Е-mail | rcmgecv@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Дати | Одержано 01 грудня 2018; у відредагованій формі 03 лютого 2019; опубліковано online 25 лютого 2019 |
| Посилання | R.C. Malan, A.M. Vora, J. Nano- Electron. Phys. 11 No 1, 01004 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01004 |
| PACS Number(s) | 72.15.cz |
| Ключові слова | Електричний опір (8) , Теорія псевдопотенціалів, Рідкі металеві сплави. |
| Анотація |
Метали із відносно малим питомим опором використовуються дуже давно. Фактори, що впливають на питомий опір, завжди були предметом аналізу дослідників цієї галузі. З розвитком матеріалознавства і фізики конденсованих матеріалів став можливим високий рівень точного прогнозування поведінки електронів у твердій фазі металів. Однак, рідкий стан є більш непередбачуваним як в металах, так і у сплавах. Властивості зразка в цілому будуть змінюватися, коли два або більше металів об'єднуються для утворення сплаву. Важливо провести математичне моделювання електричного транспорту в металах і сплавах, особливо у рідкому стані. Лужні метали мають застосування в галузі ядерної енергетики. Літій, який має великий переріз поглинання, використовується як теплоносій в багатьох типах реакторів. Електронний струм може, в свою чергу, зумовлювати додатковий нагрів і, отже, підвищувати температуру самого теплоносія. Дана робота присвячена вивченню електричного транспорту в рідкому бінарному лужному сплаві на основі літію і натрію в різних співвідношеннях. За допомогою класичної теорії псевдопотенціалів досліджуються деякі важливі електричні транспортні властивості рідких бінарних сплавів Li1–xNax. В статті вперше визначаються електричний опір, термоелектрична потужність та теплопровідність зазначеного сплаву з використанням універсального модельного потенціалу Файолхейза та ін. Різновиди функцій корекції локального поля (починаючи зі статичної діелектричної функції Хартрі (H) і закінчуючи обмінною та кореляційною функціями Хаббарда і Шама (HS), Тейлора (T), Вашішта і Сінві (VS), Фаріда та ін. (F), Ічімару і Уцумі (IU), Негі (N), у тому числі Саркара та ін. (S)) використовуються у даних розрахунках, що є загальновідомою практикою для подібних досліджень. Розраховані значення електричного опору досить добре узгоджуються з експериментальними даними. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Порівняльні Ab initio розрахунки для перовскітів ABO3 (001), (011) та (111), а також для YAlO3 (001) поверхонь і F центрів [01001-1-01001-6]2) Спектральні і фотометричні методи контролю параметрів світлодіодних джерел випромінювання [01002-1-01002-6]
3) Вплив товщини шарів і умов осадження на структурний стан NbN/Cu багатошарових покриттів [01003-1-01003-5]
4) Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту [01005-1-01005-5]
5) Активні елементи на основі InGaAs зі статичним катодним доменом для терагерцового діапазону [01006-1-01006-5]
6) Вплив магнітного поля та нецентральної домішки на енергетичний спектр електрона в сферичній багатошаровій наносистемі [01007-1-01007-5]
7) Одержання монокристалу (Ga69.5La29.5Er)2S300 та механізм випромінювання стоксової фотолюмінесценції [01008-1-01008-4]
8) Вплив сильних кореляцій на поляризовані за спіном електронні енергетичні зони твердого розчину CdMnTe [01009-1-01009-6]
9) Переходи, індуковані взаємно корельованими гаусівськими білими шумами: метод ефективного потенціалу [01010-1-01010-6]
10) Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів [01011-1-01011-5]
11) Розподіл сегнетоелектричної поляризації в полівініліденфториді під час первинної електризації та при перемиканні поляризації [01012-1-01012-7]
12) Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження [01013-1-01013-4]
13) Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур [01014-1-01014-5]
14) Синтез нанокристалів Zn1-xCdxS електролітичним методом [01015-1-01015-5]
15) Вейвлет-розклад для діагностики технічного стану систем автоматичного керування двигуном [01016-1-01016-6]
16) Дослідження оптичних і піроелектричних властивостей монокристала ніобата літію, викликаних дифузією іонів металів [01017-1-01017-5]
17) Вплив домішки BiScO3 на структуру та електричні властивості системи Y2O3-ZrO2-SrTiO3 [01018-1-01018-4]
18) Зміщувальні акустичні фонони в багатошарових арсенідних напівпровідникових наноструктурах [01019-1-01019-6]
19) Магнітні квантові ефекти в електронних напівпровідниках при поглинанні мікрохвильовим випромінюванням [01020-1-01020-6]
20) Систематичні дослідження впливу заміщення іонів двовалентних металів (Mg2+ та Zn2+) на нанокристалічні марганцеві ферити [01021-1-01021-5]
21) Магнетронне розпилення при постійному тоці зворотного контакту Mo для тонкоплівкових сонячних елементів з халькопіриту [01022-1-01022-7]
22) Вплив хімічної обробки поверхні підкладинок ZnSe
23) Нерелятивістська cубатомна модель для опису поведінки двомірного ангармонічного потенціалу шостого порядка для атомного ядра в симетріях розширеної квантової механіки [01024-1-01024-10]
24) Застосування методу крос-кореляційного аналізу для вимірювання швидкості потоку рідини на основі рентгенівського випромінювання [01025-1-01025-5]
25) Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження [01026-1-01026-3]
26) Тонкі плівки CdZnO з покриттям: Застосування для пристроїв перетворення енергії [01027-1-01027-3]
27) Золь-гель синтез та структурні властивості наночастинок Zn легованих Cu [01028-1-01028-3]
