Electrical Performance of Zinc Oxide Thin Films Transistors
| Автори | R. Ondo-Ndong, H. Essone-Obame, N. Koumba |
| Приналежність | Laboratoire Pluridisciplinaire des Sciences, Ecole Normale Supérieure, B.P 17009 Libreville, Gabon |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
| Дати | Одержано 15.08.2017, у відредагованій формі - 15.11.2017, опубліковано online - 24.11.2017 |
| Посилання | R. Ondo-Ndong, H. Essone-Obame, N. Koumba, J. Nano- Electron. Phys. 9 № 6, 06002 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(6).06002 |
| PACS Number(s) | 73.40. – c, 73.50. – h |
| Ключові слова | Thin film transistors, Properties capacities, MIS (39) , ZnO (89) . |
| Анотація | The capacitive properties and performance of ZnO (TFT) thin film transistors prepared at 100°C were studied. The ZnO thin films were deposited by rf magnetron sputtering on silicon substrates. The frequency dependence of the conductivity and the capacity of the ZnO thin films was studied in the frequency range from 5 kHz to 13 MHz. Shown that total conductivity increases with frequency and decreases with temperature. This shows that the thermally activated conduction mechanism maintains the correlated barrier of the charge carrier on the localized states as a function of the experimental data. Activation energy is in the range of literature. ZnO-based transistors (TFTs) show non-linearities in both the current voltage and the transfer characteristics which are explained due to the presence of trap states. These traps cause a reversible threshold voltage change as revealed by low frequency capacitance voltage measurements in metal insulating semiconductor (MIS) capacitors. Thermal degradation experiments in heterojunctions confirm the presence of a trap state at 0.32 eV. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив неоднорідності товщини шарів TiO2 на транспорт носіїв заряду в дисперсних сонячних елементах на барвниках [06001-1-06001-5]2) A Comparative Study of Increasing Sensitivity Based on MoS2 Gas Sensor [06003-1-06003-4]
3) Очистка кристалів Cd(Mn)Te для детекторів рентгенівського випромінювання спеціальним відпалом [06004-1-06004-5]
4) New Optimized Intermediate Band (IB) Design to Improve ZnTeO Solar Cell Performances [06005-1-06005-4]
5) New Nonrelativistic Quarkonium Masses in the Two-Dimensional Space-Phase using Bopp’s shift Method and Standard Perturbation Theory [06006-1-06006-8]
6) Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі точкових дефектів в GaN зі структурою сфалерит: розрахунок з перших принципів [06007-1-06007-6]
7) Effects of Stone-Wales Defect Position in Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistor [06008-1-06008-5]
8) Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs [06009-1-06009-4]
9) Моделювання процесу створення мікрокомпонентів для вакуумної електроніки та рентгенівської оптики із застосуванням протонно-променевої літографії [06010-1-06010-5]
10) Analytical Identification Method for the Single Diode Model Parameters of a Photovoltaic Panel using Datasheet Values [06011-1-06011-4]
11) Формування багатошарових упорядкованих масивів магнітних наночастинок CoFe2O4 [06012-1-06012-5]
12) Effect of Electron Irradiation on Conductivity Anisotropy in n-InSe [06013-1-06013-5]
13) Визначення температури плавлення біметалевої Au@Ag наночастинки методами комп’ютерного моделювання [06014-1-06014-4]
14) Енергетичний спектр електрона та сили осциляторів внутрішньозонних квантових переходів у подвійних напівпровідникових нанокільцях у магнітному полі [06015-1-06015-6]
15) Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію [06016-1-06016-4]
16) Ionizing Radiation Induced Modification of the Copper Nanotubes Structure [06017-1-06017-6]
17) Phase Composition and Crystal Structure of N4HNO3 Granules with Nanostructured Surface Porous Layer [06018-1-06018-4]
18) Computer Simulation of Electrical Characteristics of the Carbon Nanochains [06019-1-06019-6]
19) Структура і властивості плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення [06020-1-06020-5]
20) Перемішування на границях шарів багатошарових наноперіодних покриттів системи TiNх/ZrNх: моделювання та експеримент [06021-1-06021-6]
21) Influence of Ethanol and Water on Physical and Chemical Processes of Splitting of Paracetamol and Glycine [06022-1-06022-6]
22) Створення дифузійного бар’єру на міжфазній поверхні композиційних покриттів, зміцнених вуглецевими нанотрубками [06023-1-06023-5]
23) Структура і властивості вакуумно-дугових покриттів хрому і його нітридів, отриманих в умовах дії постійного і імпульсного високовольтного потенціалів зсуву [06024-1-06024-6]
24) Effect of Annealing Time on the Power Conversion Efficiency of Silicon Nanowire Based Solar Cell Prepared by Wet Diffusion Technique [06025-1-06025-4]
25) Creation of a Tunable Diode Based on Nanotubes with an Ion Gate [06026-1-06026-4]
26) Influence of the Angle of Inclination of the Plasma Flow of Carbon to the Substrate on the Electrical Capacitance and Morphology of the Surface of Carbon Coatings [06027-1-06027-3]
27) Synthesis and Optical Absorption Properties of Copper Oxide Nanoparticles for Applications in Transparent Surface Coatings and Solar Cells [06028-1-06028-2]
