Results (2):

Назва A Doping Dependent Threshold Voltage Model of Uniformly Doped Short-Channel Symmetric Double-Gate (DG) MOSFET’s
Автори P.K. Tiwari, S. Dubey, S. Jit
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0963 - 0971
Назва Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor
Автори Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 4
Сторінки 04037-1 - 04037-4