Back

Results (5):

Назва Nanostructured Hydrogenated Silicon Films by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition: the Influence of Substrate Temperature on Material Properties
Автори V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, A.M. Funde, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0590 - 0600
Назва Inter-Electrode Separation Induced Amorphous-to-Nanocrystalline Transition of Hydrogenated Silicon Prepared by Capacitively Coupled RF PE-CVD Technique
Автори A.M. Funde, V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0651 - 0661
Назва Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method
Автори Nabeel A. Bakr
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 3
Сторінки 03006-1 - 03006-7
Назва Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT)
Автори Abhishek Mukherjee, Prachi Sharma, Navneet Gupta
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 4
Сторінки 04054-1 - 04054-3
Назва A Numerical Simulation of the Effect of Buffer Layer Band Gap on the Performances of nc-Si : H Based Solar Cells
Автори H. Touati, B. Amiri, A.C. Sebbak, A. Benameur, H. Aït-kaci
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Сторінки 02008-1 - 02008-6