Назва |
Thermal Annealing Behaviour on Electrical Properties of Pd/Ru Schottky Contacts on n-Type GaN |
Автори |
N. Nanda Kumar Reddy, V. Rajagopal Reddy |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
0921 - 0925 |
Назва |
Gate Leakage Current Reduction With Advancement of Graded Barrier AlGaN/GaN HEMT |
Автори |
Palash Das, Dhrubes Biswas |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
0972 - 0978 |
Назва |
Surface Passivation of Germanium Using NH3 Ambient in RTP for High Mobility MOS Structure |
Автори |
Anil G. Khairnar, Y.S. Mhaisagar, A.M. Mahajan |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 2 |
Сторінки |
02009-1 - 02009-3 |