Назва |
Investigation of Implantation-Induced Damage in Indium Phosphide for Layer Transfer Applications |
Автори |
U. Dadwal, V. Pareek, R. Scholz, M. Reiche, S. Chandra, R. Singh |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
1081 - 1085 |
Назва |
Simulation Based Analysis of Temperature Effect on Breakdown Voltage of Ion Implanted Co/n-Si Schottky Diode |
Автори |
Vibhor Kumar, J. Akhtar, Kulwant Singh, Anup Singh Maan |
Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 4 |
Сторінки |
04009-1 - 04009-4 |
Назва |
Influence of Order of Double Step Implantation of 64Zn+ and 16O+ Ions into Si on Formation of Zinc-containing Nanoparticles |
Автори |
K.B. Eidelman, K.D. Shcherbachev, N.Yu. Tabachkova, A.V. Goryachev, D.M. Migunov, D.A. Dronova |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Сторінки |
04028-1 - 04028-3 |
Назва |
Perspective Method of Betavoltaic Converter Creation |
Автори |
K.V. Rudenko, A.V. Miakonkih, A.E. Rogojin, S.V. Bogdanov, E.T. Lelekov, V.G. Sidorov, P.V. Zelenkov |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
Сторінки |
02022-1 - 02022-4 |