Назва | Germanium nanocrystals embedded in silicon dioxide for floGermanium Nanocrystals Embedded in Silicon Dioxide for Floating Gate Memory Devices ating gate memory devices | |
Автори | A. Bag, R. Aluguri, S.K. Ray | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
Сторінки | 0878 - 0883 |
Назва | Surface Passivation of Germanium Using NH3 Ambient in RTP for High Mobility MOS Structure | |
Автори | Anil G. Khairnar, Y.S. Mhaisagar, A.M. Mahajan | |
Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 2 | |
Сторінки | 02009-1 - 02009-3 |
Назва | Optical and Structural Characterization of Pin Photodetector Based on Germanium Nanocrystals for Third Generation Solar Cells | |
Автори | K.K. Sossoe, , M.M. Dzagli, K.S. Gadedjisso-Tossou, A.M. Mohou, B. Grandidier | |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 4 | |
Сторінки | 04035-1 - 04035-5 |