Back

Results (9):

Назва Impact of Scaling Gate Insulator Thickness on the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs)
Автори Devi Dass, Rakesh Prasher, Rakesh Vaid
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 2
Сторінки 02014-1 - 02014-6
Назва Investigation of CNTFET Performance with Gate Control Coefficient Effect
Автори S.A. Khan, M. Hasan, S.M. Mominuzzaman
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 2
Сторінки 02008-1 - 02008-4
Назва CNTFET-Based Design of a High-Efficient Full Adder Using XOR Logic
Автори Seyedehsomayeh Hatefinasab
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 4
Сторінки 04061-1 - 04061-6
Назва Impact of SWCNT Band Gaps on the Performance of a Ballistic Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs)
Автори Devi Dass, Rakesh Vaid
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 4
Сторінки 04007-1 - 04007-5
Назва Comparative Analysis of CNTFET and CMOS Logic based Arithmetic Logic Unit
Автори K. Nehru, T. Nagarjuna, , G. Vijay,
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 4
Сторінки 04018-1 - 04018-4
Назва Energy Efficient Design of Four-operand Multiplier Architecture using CNTFET Technology
Автори N. Charmchi, M.R. Reshadinezhad
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 2
Сторінки 02022-1 - 02022-8
Назва Розробка та аналіз трирівневого D-тригеру на базі польового транзисторуз вуглецевих нанотрубок
Автори Anirban Banerjee, Vikash Prasad, Debaprasad Das
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 4
Сторінки 04011-1 - 04011-5
Назва Дослідження впливу high-k діелектриків затвору та хіральності на характеристики нанорозмірного CNTFET
Автори L. Renuka Devi, N. Arumugam, J.E. Jayanthi, T.S. Arun Samuel, T. Ananth Kumar
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 2
Сторінки 02026-1 - 02026-8
Назва Електричні та температурні характеристики транзисторів з каналом у вигляді вуглецевої нанотрубки
Автори І.І.П. Бурик, І.М. Мартиненко, Л.В. Однодворець, Я.В. Хижня, Н.І. Шумакова, М.П. Бурик
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 1
Сторінки 01024-1 - 01024-5