Results (2):
| Назва | Effect of Drift Region Doping and Coulmn Thickness Variations in a Super Junction Power MOSFET: a 2-D Simulation Study | |
| Автори | Deepti Sharma, Rakesh Vaid | |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
| Сторінки | 1112 - 1119 | |
| Назва | Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study | |
| Автори | Rakesh Vaid, Meenakshi Chandel | |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 | |
| Сторінки | 03007-1 - 03007-6 | |
