Назва | High Second-Order Nonlinear Susceptibility Induced in GaN/AlxGa1 – xN Coupled Quantum Well for Infrared Photodectors Application | |
Автори | A. Elkadadra, D. Abouelaoualim, A. Oueriagli, A. Outzourhit | |
Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 2 | |
Сторінки | 02002-1 - 02002-3 |