Фото-електричні властивості кремнієвих структур із нанокомпозитним епоксидно-полімерним шаром

Автори В.І. Шмід, С.П. Назаров, А.О. Подолян , А.Б. Надточій, О.О. Коротченков
Приналежність

Київський національний університет ім. Т.Г. Шевченка, пр. Акад. Глушкова, 2, 03022 Київ, Україна

Е-mail hmdvi@gmail.com
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 2
Дати Одержано 31.10.2017; у відредагованій формі – 28.04.2018; опубліковано online 29.04.2018
Посилання В.І. Шмід, С.П. Назаров, А.О. Подолян, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02024 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02024
PACS Number(s) 73.61.Ph, 73.50.Pz
Ключові слова Кінетика SPV, Нанокомпозитні плівки (2) , Фото-е.р.с.
Анотація

У роботi методами поверхневої фото-е.р.с., FTIR- спектроскопiї та вимірюванням частотних залежностей діелектричної проникності проведено дослідження структури типу "кремнієва підкладка/нанокомпозитний епоксидно-полімерний шар". Виявлено, що нанесення на кремнієву підкладку нанокомпозитної плівки на основі епоксидної смоли з порошком SiO2 зумовлює зменшення амплітуди фото-е.р.с з одночасним її релаксації. Отримані дані пояснюються в припущенні, що взаємодія карбонільних і гідроксильних груп зв’язувача з активними центрами наповерхні частинок SiO2 і встановлення SiO та SiN зв’язків на поверхні кремнію змінює умови рекомбінації носіїв заряду та вигин зон в приповерхневому шарі Si.

Перелік посилань

English version of article