Back

Results (11):

Назва Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3
Автори В.М. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 3
Сторінки 03032-1 - 03032-4
Назва Моделювання нанотранзисторів: будова MOSFET
Автори Ю.О. Кругляк, П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 6
Сторінки 06034-1 - 06034-6
Назва Вплив транспортуючого шару електронів на ефективність перетворення енергії сонячних елементів на основі перовскіту порівняльне дослідження
Автори A. Hima, N. Lakhdar, A. Saadoune
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 1
Сторінки 01026-1 - 01026-3
Назва Дослідження польових транзисторів на вуглецевих нанотрубках з коаксіальною геометрією
Автори P. Vimala, Likith Krishna L., Krishna Maheshwari, S.S. Sharma
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 5
Сторінки 05027-1 - 05027-5
Назва Імітаційне дослідження тилового контакту метал-напівпровідник p-c-Si/Al кремнієвих сонячних елементів з гетеропереходами
Автори K. Bendjebbar, D. Rached, W.L. Rahal, S. Bahlouli
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 5
Сторінки 05022-1 - 05022-4
Назва Морфологічні та електричні характеристики SiNWs, синтезованих методом безелектричного хімічного травлення за допомогою металів
Автори Rabina Bhujel, Sadhna Rai, Utpal Deka, Joydeep Biswas, Bibhu Prasad Swain
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 2
Сторінки 02003-1 - 02003-4
Назва Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si
Автори К.О. Островська, А.О. Дружинін, Н.С. Лях-Кагуй, І.П. Островський
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 4
Сторінки 04012-1 - 04012-5
Назва Фоточутливі гетероструктури n-Zn0.5Cd0.5O/p-InSe, виготовлені методом магнетронного розпилення
Автори З.Р. Кудринський, І.Г. Ткачук, В.І. Іванов, В.В. Хом'як
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 5
Сторінки 05002-1 - 05002-4
Назва Фотоелектричні властивості гетеропереходу Mn2O3/n-InSe
Автори І.Г. Ткачук, І.Г. Орлецький, В.І. Іванов, З.Д. Ковалюк, A.В. Заслонкін, В.В. Нетяга
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 2
Сторінки 02022-1 - 02022-5
Назва Електричні властивості і фоточутливість гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe, виготовлених методом спрей-піролізу 
Автори І.Г. Орлецький, І.Г. Ткачук, В.І. Іванов, З.Д. Ковалюк, А.В. Заслонкін
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 5
Сторінки 05004-1 - 05004-5
Назва Гетероструктури p-SnS/n-InSe створені методом спрей-піролізу
Автори І.Г. Ткачук, І.Г. Орлецький, З.Д. Ковалюк, В.І. Іванов, А.В. Заслонкін
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 6
Сторінки 06028-1 - 06028-4