| Назва |
Temperature Dependent I-V Characteristics of Ag/P-Sn0.2Se0.8 Thin Film Schottky Barrier Diode |
| Автори |
K.K. Patel, M. Patel, K.D. Patel, G.K. Solanki, V.M. Pathak, R. Srivastava |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0783 - 0786 |
| Назва |
Barrier Inhomogeneities of Al/p-In2Te3 Thin Film Schottky Diodes |
| Автори |
R.R. Desai, D. Lakshminarayana, Ramesh Sachdeva, P.B. Patel, C.J. Panchal, M.S. Desai, N. Padha |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0995 - 1004 |
| Назва |
Simulation Based Analysis of Temperature Effect on Breakdown Voltage of Ion Implanted Co/n-Si Schottky Diode |
| Автори |
Vibhor Kumar, J. Akhtar, Kulwant Singh, Anup Singh Maan |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 4 |
| Сторінки |
04009-1 - 04009-4 |
| Назва |
Fabrication and Characterization of Al/p-CuInAlSe2 Thin Film Schottky Diodes |
| Автори |
Usha Parihar, N. Padha, C.J. Panchal |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 2 |
| Сторінки |
02015-1 - 02015-5 |
| Назва |
AC Impedance Analysis of the Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters |
| Автори |
M. Benhaliliba, Y.S. Ocak, H. Mokhtari, T. Kiliçoglu |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
| Сторінки |
02001-1 - 02001-4 |
| Назва |
Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy |
| Автори |
H. Ayed, L. Béchir, M. Benabdesslem, N. Benslim, L. Mahdjoubi, T. Mohammed-Brahim, A. Hafdallah, M.S. Aida |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
| Сторінки |
01038-1 - 01038-4 |
| Назва |
Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice |
| Автори |
Messaadi Lotfi, Dibi Zohir |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Сторінки |
01002-1 - 01002-4 |
