| Назва |
Schottky Contact of Gallium on p-Type Silicon |
| Автори |
B.P. Modi, K.D. Patel |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0684 - 0690 |
| Назва |
Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated Using DVT Grown n-MoSe2 Crystals With Cu-Schottky Gates |
| Автори |
C.K. Sumesh, K.D. Patel, V.M. Pathak, R.Srivastava |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0709 - 0713 |
| Назва |
Electrical Transport Characteristics of Pd/V/N-InP Schottky Diode From I-V-T and C-V-T Measurements |
| Автори |
S. Sankar Naik, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
1048 - 1055 |
| Назва |
The Annealing Effects of ZnO Thin Films on Characteristic Parameters of Au/ZnO Schottky Contacts on n-Si |
| Автори |
K. Akkilic, Y.S. Ocak, T. Kilicoglu, A. Toprak |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 1 |
| Сторінки |
01012-1 - 01012-3 |
| Назва |
Analysis of the Inhomogeneous Barrier in In/p-Si Schottky Contact and Modified Richardson Plot |
| Автори |
J.M. Dhimmar, H.N. Desai, B.P. Modi |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
| Сторінки |
02006-1 - 02006-6 |
