Назва | Temperature Dependence of 1/f Noise in Gallium Nitride Epitaxial Layer | |
Автори | Ashutosh Kumar, Ashish Kumar, K. Asokan, V. Kumar, R. Singh | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 | |
Сторінки | 0676 - 0679 |
Назва | Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor | |
Автори | I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka | |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 2 | |
Сторінки | 02044-1 - 02044-3 |