Results (2):

Назва Temperature Dependence of 1/f Noise in Gallium Nitride Epitaxial Layer
Автори Ashutosh Kumar, Ashish Kumar, K. Asokan, V. Kumar, R. Singh
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0676 - 0679
Назва Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor
Автори I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Сторінки 02044-1 - 02044-3