Back

Results (5):

Назва Magnetic, Electrical and Surface Morphological Characterization of AuGe/Ni/Au Ohmic Contact Metallization on GaAs/AlGaAs Multilayer Structures
Автори T.S. Abhilash, Ch. Ravi Kumar, G. Rajaram
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 2
Сторінки 0396 - 0403
Назва Temperature Dependence of 1/f Noise in Gallium Nitride Epitaxial Layer
Автори Ashutosh Kumar, Ashish Kumar, K. Asokan, V. Kumar, R. Singh
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0676 - 0679
Назва Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated Using DVT Grown n-MoSe2 Crystals With Cu-Schottky Gates
Автори C.K. Sumesh, K.D. Patel, V.M. Pathak, R.Srivastava
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0709 - 0713
Назва Analytical Estimate of Open-Circuit Voltage of a Schottky-Barrier Solar Cell Under High Level Injection
Автори Pramila Mahala, Sanjay Kumar Behura, A. Ray
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0979 - 0991
Назва Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor
Автори I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Сторінки 02044-1 - 02044-3