Назва | Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated Using DVT Grown n-MoSe2 Crystals With Cu-Schottky Gates | |
Автори | C.K. Sumesh, K.D. Patel, V.M. Pathak, R.Srivastava | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 | |
Сторінки | 0709 - 0713 |
Назва | A Two-Dimensional (2D) Potential Distribution Model for the Short Gate-Length Ion-Implanted GaAs Mesfets Under Dark and Illuminated Conditions | |
Автори | Shweta Tripathi, S. Jit | |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
Сторінки | 0868 - 0877 |