Results (2):

Назва Temperature Dependent I-V Characteristics of Ag/P-Sn0.2Se0.8 Thin Film Schottky Barrier Diode
Автори K.K. Patel, M. Patel, K.D. Patel, G.K. Solanki, V.M. Pathak, R. Srivastava
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0783 - 0786
Назва Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lantana Nanooxide Layers
Автори K. Bikshalu, M.V. Manasa, V.S.K. Reddy, P.C.S. Reddy, K. Venkateswara Rao
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 4
Сторінки 04058-1 - 04058-3