Results (2):

Назва A Strategic Review of Reduction of Dislocation Density at the Heterogenious Junction of GAN Epilayer on Foreign Substrate
Автори S.Das Bhattacharyya, P. Mukhopadhyay, P. Das, D. Biswas
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 1
Сторінки 0067 - 0084
Назва Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor
Автори I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Сторінки 02044-1 - 02044-3