Results (3):
| Назва | Investigation of Current-Voltage Characteristics of Ni/GaN Schottky Barrier Diodes for Potential HEMT Applications | |
| Автори | Ashish Kumar, Seema Vinayak, R. Singh | |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 | |
| Сторінки | 0671 - 0675 | |
| Назва | Temperature Dependence of 1/f Noise in Gallium Nitride Epitaxial Layer | |
| Автори | Ashutosh Kumar, Ashish Kumar, K. Asokan, V. Kumar, R. Singh | |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 | |
| Сторінки | 0676 - 0679 | |
| Назва | Investigation of Implantation-Induced Damage in Indium Phosphide for Layer Transfer Applications | |
| Автори | U. Dadwal, V. Pareek, R. Scholz, M. Reiche, S. Chandra, R. Singh | |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 | |
| Сторінки | 1081 - 1085 | |
