| Назва |
Strategic Review of Arsenide, Phosphide and Nitride MOSFETs |
| Автори |
Gourab Dutta, Palash Das, Partha Mukherjee, Dhrubes Biswas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0728 - 0740 |
| Назва |
Gate Leakage Current Reduction With Advancement of Graded Barrier AlGaN/GaN HEMT |
| Автори |
Palash Das, Dhrubes Biswas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0972 - 0978 |
| Назва |
New Evolving Directions for Device Performance Optimization Based Integration of Compound Semiconductor Devices on Silicon |
| Автори |
Partha Mukhopadhyay, Palash Das, Edward Y. Chang, Dhrubes Biswas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
1102 - 1111 |
