Моделирование процесса образования твердых растворов в системе In2О3-HfO2 при нагревании в среде воздуха

Автор(ы) А.Е. Соловьева
Принадлежность Сумской государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007, Сумы, Украина
Е-mail
Выпуск Том 2, Год 2010, Номер 3
Даты Получено 03.09.2010, в отредактированной форме – 28.10.2010
Ссылка А.Е. Соловьева, Ж. нано- электрон. физ. 2 №3, 103 (2010)
DOI
PACS Number(s) 64.75. Nx
Ключевые слова Оксид индия, Диоксид гафния, Твердый раствор, Фазовый переход.
Аннотация
На основе математических моделей образования твердых растворов в системе In2O3-HfО2 рассчитаны ионные радиусы катионов: индия, гафния, аниона и анионной вакансии по шкале Темплтона и Добена. Обнаружено фазовое превращение в оксиде индия, связанное с разупорядочением анионных вакансий в решетке типа С. Образование твердых растворов в данной системе протекает на основе неупорядоченной фазы типа С1 оксида индия. Ограниченные твердые растворы типа: вычитания – замещения, вычитания – замещения – внедрения образуются в процессе спекания образцов при 1450, 1600 °С в среде воздуха. Тип твердого раствора в системе In2O3-HfО2 зависит от размеров катионов индия и гафния. Энергии образования твердых растворов в системе были определены. Обнаружено, что проводимость тока, концентрация и подвижность носителей заряда зависит от типа твердого раствора, а не от валентности катионов растворенной добавки.

Список литературы