Текстурирование поверхности фосфида индия

Автор(ы) Я.А. Сычикова1 , В.В. Кидалов1 , А.С. Балан1, Г.А. Сукач2
Принадлежность

1 Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71100, Бердянск, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарьова, пр. Науки 41, 03028, Киев, Украинa

Е-mail v.v.kidalov@mail.ru
Выпуск Том 2, Год 2010, Номер 1
Даты Получено 13.04.2010, в отредактированной форме – 29.04.2010
Ссылка Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, А.С. Балан, Г.А. Сукач, Ж. нано- электрон. физ. 2 №1, 84 (2010)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключевые слова Фосфид индия, Фотоэлектрохимическое травление, Сканирующая электронная микроскопия, Пирамидальные кластеры, Анизотропия кристалла.
Аннотация
В работе представлен метод фотоэлектрохимического текстуривания поверхности монокристалического фосфида индия. С помощью скани-рующей электронной микроскопии установлены оптимальные условия, при которых возможно формирование развитой морфологии на поверхности фосфида индия c равномерным распределением кластеров по поверхности.

Список литературы