Асимметричность плотности распределения объемного неcкомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода

Автор(ы) А.С. Мазинов1,2, А.И. Шевченко1, М.А.Быков1
Принадлежность

1 Таврический национальный университет им. В.И. Вернадского, просп. академика Вернадского, 4, Симферополь 95007, Крым, Украина

2 Крымский научный центр НАН и МОН, просп. академика Вернадского, 2, Симферополь 95007, Крым, Украина

Е-mail
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Даты Получено 31.08.2012; опубликовано online 07.11.2012
Ссылка А.С. Мазинов, А.И. Шевченко, М.А.Быков, Ж. Нано- Электрон. Физ. 4 № 3, 03026 (2012)
DOI
PACS Number(s) 71.22._i, 71.23.An
Ключевые слова Мелкозалегающий p-n переход, Профиль легирования кристалла, Коэффициент диффузии, Энергия активации диффузии, Плотность распределения заряда, Нескомпенсированный заряд p-n перехода.
Аннотация В работе рассмотрены особенности формирования мелкозалегающего перехода и его расчета для создания фотогальванического элемента на основе монокристаллического кремния с фронтальным легированным бором. Показана неоднозначность расчетных профилей перекомпенсирующей примеси, которая зависит от точности определения констант диффузионных уравнений.

Список литературы

English version of article