Журнал нано- и електронной физики

Расчет ансамбля точечных дефектов в монокристалах и пленках сульфида цинка

Автор(ы) Д.И. Курбатов
Принадлежность

Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

Е-mail kurd@ukr.net
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Даты Получено 30.08.2012, ; опубликовано online 07.11.2012
Ссылка Д.И. Курбатов, Ж. Нано- Электрон. Физ. 4 № 3, 03027 (2012)
DOI
PACS Number(s) 61.72.J, 73.61.Ga
Ключевые слова Точечные дефекты, Сульфид цинка, Квазихимический формализм, Монокристали (5) , Пленки, Концентрация дефектов.
Аннотация В работе с использованием традиционного квазихимического подхода проведен расчет концентрации нейтральных и заряженных точечных дефектов, положения уровня Ферме и свободных носителей тока в монокристалах и пленках сульфида цинка в зависимости от условий их осаждения. Для расчетов использованные экспериментально найденные энергии залегания дефектов в запрещенной зоне ZnS.

Список литературы