Закономерности зародышеобразного механизма конденсации аморфных пленок халькогенидных полупроводников

Автор(ы) А.В. Далекорей1, В.П. Иваницький1, В.С. Ковтуненко2 , Р.О. Мешко1
Принадлежность

1 Ужгородский национальный университет, ул. Пидгирна, 46, 88000, Ужгород, Украина

2 ГВУЗ «Черкасcкий государственный технологический университет», бул. Шевченко, 460, 18006, Черкассы, Украина

Е-mail toljadal@yandex.ru, ivanc@mail.uzhgorod.ua
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Даты Получено 15.02.2012; опубликовано online 30.10.2012
Ссылка А.В. Далекорей, В.П. Иваницький, В.С. Ковтуненко, Р.О. Мешко, Ж. Нано- Электрон. Физ. 4 № 3, 03011 (2012)
DOI
PACS Number(s) 64.60.qj, 68.03.Fg
Ключевые слова Механизмы конденсации, Аморфные пленки, Островковые пленки, Масс-спектры.
Аннотация
Теоретически и экспериментально исследованы начальные этапы зародышеобразного механизма конденсации аморфных пленок сложных халькогенидов. Установлено важную роль сложного масс-спектрометрического состава паровой фазы в процессах зародышеобразования и роста аморфных островков халькогенидов на однородной поверхности подложки.

Список литературы

English version of article