Морфология поверхности и оптические свойства пленок CdSe, полученных методом квазизамкнутого объема

Автор(ы) В.В. Стариков1, М.М. Иващенкo2, А.С. Опанасюк2, В.Л. Перевертайло3
Принадлежность

1 Национальный технический университет «ХПИ», ул. Фрунзе, 21, 61002 Харьков, Украина

2 Сумский государственный університет, ул. Римского-Корсакова 2, 40007 Сумы, Украина

3 Научно-исследовательский институт микроприборов, вул. Северно-Сырецкая, 3, 04136 Киев, Украина

Е-mail vadym_starikov@mail.ru, m_ivashchenko@ukr.net, opanasyuk_sumdu@ukr.net, detector@carrier.kiev.ua
Выпуск Том 1, Год 2009, Номер 4
Даты Получено 27.10.2009, в отредактированной форме – 20.11.2009
Ссылка В.В. Стариков, М.М. Иващенкo, А.С. Опанасюк, В.Л. Перевертайло, Ж. нано- электрон. физ. 1 №4, 100 (2009)
DOI
PACS Number(s) 68.37.Hk, 78.66.Hf, 81.15.Ef
Ключевые слова Пленки селенида кадмия, Морфология поверхности, Коэффициент пропускания, Коэффициент отражения, Ширина запрещенной зоны.
Аннотация
В работе проведено исследование морфологии поверхности, механизмов роста и оптических свойств пленок CdSe, полученных методом термического испарения в квазизамкнутом объеме, перспективных для использования в качестве поглощающих слоев тандемных солнечных элементов и фотодетекторов. Измерение оптических характеристик слоев проводилось методами спектрофотометрического анализа вблизи «красной границы» фотоактивности полупроводника. Проведенные исследования дали возможность получить спектральные распределения коэффициентов пропускания Т(λ), отражения R(λ), поглощения α(λ), преломления n(λ), реальной ε1(λ) и мнимой ε2(λ) частей оптической диэлектрической постоянной образцов и выявить их зависимость от температуры осаждения пленок.

Список литературы