Влияние типа аниона электролита на морфологию пористого InP, полученого методом электролитического травления

Автор(ы) Я.А. Сычикова1 , В.В. Кидалов1 , Г.А. Сукач2
Принадлежность

1 Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71100, Бердянск, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарьова, Проспект Науки 41, 03028, Киев, Украина

Е-mail V.V.Kidalov@mail.ru
Выпуск Том 1, Год 2009, Номер 4
Даты Получено 05.11.2009, в отредактированной форме – 01.12.2009
Ссылка Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач, Ж. нано- электрон. физ. 1 №4, 78 (2009)
DOI
PACS Number(s) 61.43.Gt, 78.30.Fs, 78.55.m
Ключевые слова Пористый InP, Электролитическое травление, Сканирующая электронная микроскопия, Наноструктуры, Пороговое напряжение.
Аннотация
В данной работе представлен анализ зависимости морфологии пористого фосфида индия от типа участвующего в реакции аниона. Показано, что при определенных условиях электролитического травления, получаются нанопористые слои InP.

Список литературы