Тонкопленочные гетеропереходы ZnTe/CdTe

Автор(ы) М.Н. Колесник1, А.С. Опанасюк1 , Н.В. Тиркусова1, С.М. Данильченко2
Принадлежность

1 Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, Сумы, Украина, 40007

2 Институт прикладной физики НАН Украины, ул. Петропавловская, 58 ,40030,  Сумы, Украина

Е-mail maxxkol@yahoo.com
Выпуск Том 1, Год 2009, Номер 2
Даты Получено 25.06.2009, в отредактированной форме – 08.07.2009
Ссылка М.Н. Колесник, А.С. Опанасюк, Н.В. Тиркусова, С.М. Данильченко, Ж. нано- электрон. физ. 1 №2, 11 (2009)
DOI
PACS Number(s) 73.40.Lq, 73.61.Ga
Ключевые слова Гетеропереход ZnTe/CdTe, Структурный фактор, Размер зерна, Вольтамперная характеристика, Механизм зарядопереноса, Коэффициент диодности.
Аннотация
В работе изучены структурные и электрофизические свойства гетеропереходов ZnTe/CdTe, полученных методом термического испарения в квазизамкнутом объеме. Проведенные исследования позволили определить структурные параметры пленок, такие как текстура, период решетки, размеры кристаллитов и областей когерентного рассеивания, уровень микродеформаций, а также их зависимость от условий получения пленок. Электрофизические исследования позволили определить механизмы зарядопереноса в гетеропереходе.

Список литературы