Топология поверхности слоистых кристаллов p-InSe и -SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) и гетеропереходы на их основе

Автор(ы) В.Н. Катеринчук , З.Р. Кудринский , З.Д. Ковалюк
Принадлежность

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, ул. Ирины Вильде, 5, Черновцы 58001, Украина

Е-mail kudrynskyi@gmail.com
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 2
Даты Получено 08.03.2012, в отредактированной форме – 24.05.2012, опубликовано online 04.06.2012
Ссылка В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- электрон. физ. 4 № 2, 02042 (2012)
DOI
PACS Number(s) 3.40.Lq, 81.16.Dn
Ключевые слова атомно-силовая микроскопия, слоистые кристаллы, гетеропереходы, спектральные характеристики, вольт-амперные характеристики.
Аннотация На выращенных слоистых кристаллах p-InSe и n-SnS2-xSex при помощи атомно-силового микроскопа проведены исследования поверхности этих материалов. Методом оптического контакта созданы гетеропереходы p-InSe–n-SnS2-xSex и исследованы их спектральные и вольт-амперные характеристики.

Список литературы