Автор(ы) | В.И. Белозерцева1, Д.А. Гаман1, Г.М. Хляп2, А.А. Мамалуй1, Н.Л. Дьяконенко1, Л.Г. Петренко1 |
Принадлежность | 1 Национальный Технический Университет «Харьковский Политехнический Институт», ул. Фрунзе, 21, Харьков, 61002 Украина 2 University of Technology, Distelstr.11, D-67657 Kaiserslautern, Germany |
Е-mail | biloz@mail.ru |
Выпуск | Том 4, Год 2012, Номер 1 |
Даты | Received 06 November 2011; published online 14 March 2012 |
Ссылка | В.И. Белозерцева, Д.А. Гаман, Г.М. Хляп, и др. Ж. нано-электрон. физ. 4 № 1, 01019 (2012) |
DOI | |
PACS Number(s) | 8.55.ag, 72.80.Jc |
Ключевые слова | Тонкие плёнки, халькогениды, NaBiTe2, структура (170) , поверхностный рельеф, оптическое пропускание, электрические свойства, механизмы зарядопереноса, газовая чувствительность. |
Аннотация | В статье представлены наши экспериментальные результаты по росту, морфологии, оптическим и электрофизическим свойствам тонких пленок NaBiTe2, выращенных термическим испарением в вакууме. Изложены результаты структурных исследований и электрических измерений пленок NaBiTe2 с Cr контактами. Также обсуждаются временные зависимости тока, протекающего через исследуемые структуры при постоянном приложенном электрическом поле при комнатной температуре. Впервые описано влияние некоторых агрессивных атмосферных примесей на характеристики пленок NaBiTe2. |
Список литературы |