Управление параметрами GaAs:Si p-n-структур при гиратронном облучении

Автор(ы) Г.А. Сукач1, В.В. Кидалов2
Принадлежность

1 Национальный университет биоресурсов и природопользования Украины ул. Героев Oбороны, 15, 03041, Киев, Украина

2 Бердянский государственный педагогический университет, Ул. Шмидта, 4, 71100, Бердянск, Украина

Е-mail V.V.Kidalov@mail.ru
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 4
Даты Получено 21.04.2011, в отредактированной форме – 25.09.2011, опубликовано онлайн – 30.12.2011
Ссылка Г.А. Сукач, В.В. Кидалов, Ж. нано- электрон. физ. 3 №4, 138 (2011)
DOI
PACS Number(s) 73.20.Hb, 72.80.Ey
Ключевые слова Гиратронное облучение, Светоизлущающие структуры, Управление положением уровня р-n-перехода, Термо-упругие напряжения.
Аннотация
Показано, что с помощью гиратронного облучения возможно управлением положением р-n перехода в уже изготовленной светоизлучающей структуре. Сдвиг компенсированной области излучающей структуры на основе GaAs:Si, обусловленный движением примесей в поле термоупругих напряжений, появляющихся в процессе остывания образцов после гиратронного облучения.

Список литературы