Моделирование нанотранзисторов: устройство MOSFET

Автор(ы) Ю.А. Кругляк1 , П.А. Кондратенко2 , Ю.М. Лопаткин3
Принадлежность

1Одесский государственный экологический университет, ул. Львовская, 1, 6501 Одесса, Украина

2Национальный авиационный университет, пр. Космонавта Комарова, 1, 03058 Киев, Украина

3Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

Е-mail
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 6
Даты Получено 01.10.2018; в отредактированной форме – 07.12.2018; опубликовано online 18.12.2018
Ссылка Ю.А. Кругляк, П.А. Кондратенко, Ю.М. Лопаткин, Ж. нано- электрон. физ. 10 No 6, 06034 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(6).06034
PACS Number(s) 72.80.Ey, 85.30. − z, 85.30.De, 85.30.Tv, 85.40. − e
Ключевые слова Наноэлектроника, Полевой транзистор, Вольт-амперные характеристики.
Аннотация

Предлагается состоящий из нескольких частей по данной тематике обзор, задачей которого является обсуждение физических моделей и принципов, лежащих в основе функционирования наноразмерных MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor – МОП / МДП-транзистор с изолированным затвором) и основанных как на привычном традиционном подходе «сверху – вниз», так и на более современном подходе, берущим свое начало еще в работах Рольфа Ландауэра, предложившего модель упругого резистора задолго до её экспериментального подтверждения в нанопроводниках, а также Суприо Датта и Марка Лундстрома, переосмысливших эту модель, придавших ей нынешнее звучание и доказавших применимость её к электронным устройствам как наноскопическим, так и микро- и макроскопическим произвольной размерности 1D, 2D и 3D и работающих в баллистическом, квазибаллистическом и диффузионном режимах. Первая часть посвящена физической структуре и вольт-амперным характеристикам MOSFET.

Список литературы

English version of article