Квантовое столкновение двух вертикальных блоховских линий в доменной границе одноосной ферромагнитной пленки

Автор(ы) А.Б. Шевченко1, М.Ю. Барабаш2
Принадлежность

1Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03680 Киев-142, Украина

2Технический центр НАН Украины, ул. Покровская, 13, 04070 Киев, Украина

Е-mail andborshev@ukr.net
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Даты Получено 17.03.2018, в отредактированной форме – 14.08.2018, опубликовано online 25.08.2018
Ссылка А.Б. Шевченко, М.Ю. Барабаш, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 4, 04026 (2018)
DOI http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04026
PACS Number(s) 75.70.kw:75.45 + j
Ключевые слова Магнитная пленка, Полосовой домен, Доменная граница, Вертикальная блоховская линия, Подбарьерное прохождение.
Аннотация

На основе квазиклассического приближения изучен процесс подбарьерного прохождения друг через друга малых участков длины двух однополярных вертикальных блоховских линий (наноразмерных солитонов типа “перегиб”), находящихся в доменной границе изолированного полосового домена, образованного в одноосной ферромагнитной пленке с сильной магнитной анизотропией. Показано, что данный эффект имеет место благодаря учету их квантовых осцилляций, возбуждаемых внешним магнитным полем в субгелиевом диапазоне температур. Определены условия осуществления этого явления. Установлено, что подбарьерное прохождение друг через друга двух вертикальных блоховских линий, проходит в более сильных магнитных полях, чем соответствующее туннелирование их малых сегментов длины. Показано также, что увеличение магнитной анизотропии пленки приводит к уменьшению значений магнитных полей, в которых протекает данный квантовый процесс.  Полученный результат представляет практический интерес в контексте создания ячейки памяти для запоминающего устройства гибридного типа бит + кубит на основе вертикальных блоховских линий.

Список литературы

English version of article